ВНИМАНИЕ! На форуме начался конкурс - астрофотография месяца ОКТЯБРЬ!
0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.
Если равномерный износ высокоэнергичными частицами как пулями из пулемёта всё время полёта - то с чего бы какие-то лампы (которые сами по себе не то чтобы высокой долговечностью, насколько помню по земной практике, отличались) тут чем-то сильно помогли.
Я тихонько напомню, что лишь сравнительно недавно обнаружили, вроде как, "водородную стену" там где солнечный ветер сталкивается с межзвездной средой.
Любой трек энергичной частицы просто прожигает тончайший слой p-n-p- перехода, и всё.
А как быть с полевым транзистором, в котором нет p-n переходов?
Вот вот я про так называемые MOSFET - МОП по нашенски, там нет перехода.... кстати и в процессоре вашего компа нет переходов электронно-дырочных, в противном случае напряжение питания его не могло бы начинаться с 1 вольта....
Интересная идея. Спасибо, надо с нею переспать.
Что самое интересное МОП транзисторы очень похожи на вакуумные триоды по принципу работы и по форме рабочих характеристик.....
Перечислим виды электроники в порядке увеличения их устойчивости к воздействию космических лучей сверхвысоких энергий
4. Полевые МДП(МОП, MOSFET)-транзисторы с индуцированным каналом.5. Микролампы.
Цитата: bob от 30 Сен 2018 [01:32:03]Перечислим виды электроники в порядке увеличения их устойчивости к воздействию космических лучей сверхвысоких энергийЦитата: bob от 30 Сен 2018 [01:32:03]4. Полевые МДП(МОП, MOSFET)-транзисторы с индуцированным каналом.5. Микролампы.Мне кажется, вы тут упустили один немаловажный фактор. Габаритные размеры уязвимой области прибора, попав в которую, высоко-энергичная частица выведет его из строя. Это же напрямую влияет на вероятность попадания частицы "именно туда, куда надо, чтобы спалить".У современных МОП-транзисторов размеры этой области могут измеряться десятками нанометров, если я правильно помню. У микроламп - больше на многие порядки. Верно?
большая часть этих частиц полетит сквозь прибор, не заметив его, и не оставив следов. Однако некоторые частицы в своём пути столкнутся с ядрами атомов корпуса корабля, корпуса аппарата или корпуса прибора, и вызовут целый ливень вторичных частиц, и здесь уже вероятность того, что заряженная частица попадёт в уязвимое место, намного больше, и, в определённых пределах, слабо зависит от размера этого уязвимого места, т.к. плотность потока дочерних частиц достаточно велика, а для пробоя перехода много не надо.В этих условиях надёжность микроламп выше, потому, что для вывода микролампы из строя нужна энергия первичной частицы, попавшей во включённую цепь (и даже там можно предусмотреть схемотехнические решения, которые подарят лампе шанс уцелеть). Вторичных частиц будет намного больше, но их энергии для вывода лампы и прибора из строя недостаточно, как максимум они вызовут временный сбой.
У современных МОП-транзисторов размеры этой области могут измеряться десятками нанометров, если я правильно помню. У микроламп - больше на многие порядки. Верно?
Ну, т.е. максимально-устойчивым к энергичным частицам будет ламповый компьютер размером с девятиэтажку... ладно.
А если включать раз в сто лет на неделю
Но, если основной компьютер выключен, а механике (часовые механизмы и т.п.) на протяжении миллионов лет мы доверять никак не можем. То кто или что его включит?
Придумал, как сжечь выключенные полевые МДП-транзисторы с индуцированным каналом. Надо попасть в исток или сток и сжечь противоположный исток или сток стекающим наведённым зарядом.
Цитата: bob от 30 Сен 2018 [01:32:03]Придумал, как сжечь выключенные полевые МДП-транзисторы с индуцированным каналом. Надо попасть в исток или сток и сжечь противоположный исток или сток стекающим наведённым зарядом. А мы канал кривым сделаем, чтобы никакая частица его сразу на всю длину не открыла.
Именно что. А сверху всё закрыто единым управляющим электродом.можно рассматривать как два последовательно включённых транзистора